FQI10N60CTU
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| Teilenummer | FQI10N60CTU |
| PNEDA Teilenummer | FQI10N60CTU |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQI10N60CTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQI10N60CTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQI10N60CTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1155pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 82W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 16.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 700mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 300mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3426pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
