FQD12N20LTM
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Teilenummer | FQD12N20LTM |
PNEDA Teilenummer | FQD12N20LTM |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.940 |
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FQD12N20LTM Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FQD12N20LTM |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FQD12N20LTM Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D-Pak |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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