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FQD10N20LTF

FQD10N20LTF

Nur als Referenz

Teilenummer FQD10N20LTF
PNEDA Teilenummer FQD10N20LTF
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQD10N20LTF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQD10N20LTF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQD10N20LTF, FQD10N20LTF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 907,48 KB)
PDFFQD10N20LTF Datenblatt Cover
FQD10N20LTF Datenblatt Seite 2 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 3 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 4 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 5 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 6 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 7 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 8 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 9 FQD10N20LTF Datenblatt Seite 10

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FQD10N20LTF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds830pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 51W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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NTHLD040N65S3HF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

VS-FC420SA15

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

909W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

860W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

STL19N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta), 12.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (8x8) HV

Paket / Fall

8-PowerVDFN

DMT6007LFG-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Kürzlich verkauft

EPM7128SQC100-10N

EPM7128SQC100-10N

Intel

IC CPLD 128MC 10NS 100QFP

STL7N10F7

STL7N10F7

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

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ECMF02-4CMX8

STMicroelectronics

COMMON MODE CHOKE 2LN SMD ESD

LV8548MC-AH

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ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

LT8609SEV#PBF

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

MAX1104EUA+

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FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM