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FQD10N20CTF

FQD10N20CTF

Nur als Referenz

Teilenummer FQD10N20CTF
PNEDA Teilenummer FQD10N20CTF
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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FQD10N20CTF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQD10N20CTF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQD10N20CTF, FQD10N20CTF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 654,9 KB)
PDFFQD10N20CTM_F080 Datenblatt Cover
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FQD10N20CTF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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CSD17576Q5B

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4430pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

R6515KNJTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

315mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 430µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

184W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5885NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

RTL020P02TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TUMT6

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

CPH6347-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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