FQB8P10TM
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Teilenummer | FQB8P10TM |
PNEDA Teilenummer | FQB8P10TM |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.906 |
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FQB8P10TM Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FQB8P10TM |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FQB8P10TM Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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