FQB7N65CTM
Nur als Referenz
| Teilenummer | FQB7N65CTM |
| PNEDA Teilenummer | FQB7N65CTM |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FQB7N65CTM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQB7N65CTM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQB7N65CTM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 173W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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