Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQB7N20TM

FQB7N20TM

Nur als Referenz

Teilenummer FQB7N20TM
PNEDA Teilenummer FQB7N20TM
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQB7N20TM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQB7N20TM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQB7N20TM, FQB7N20TM Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 691,45 KB)
PDFFQB7N20TM Datenblatt Cover
FQB7N20TM Datenblatt Seite 2 FQB7N20TM Datenblatt Seite 3 FQB7N20TM Datenblatt Seite 4 FQB7N20TM Datenblatt Seite 5 FQB7N20TM Datenblatt Seite 6 FQB7N20TM Datenblatt Seite 7 FQB7N20TM Datenblatt Seite 8 FQB7N20TM Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQB7N20TM Datasheet
  • where to find FQB7N20TM
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQB7N20TM
  • FQB7N20TM PDF Datasheet
  • FQB7N20TM Stock

  • FQB7N20TM Pinout
  • Datasheet FQB7N20TM
  • FQB7N20TM Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQB7N20TM Price
  • FQB7N20TM Distributor

FQB7N20TM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8S

AOC2423

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-AlphaDFN (0.97x0.97)

Paket / Fall

4-SMD, No Lead

FMD40-06KC

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

i4-Pac™-5

TPN1110ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

114mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta), 39W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IRFI9Z24N

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

29W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

MC9S08AC96CLKE

MC9S08AC96CLKE

NXP

IC MCU 8BIT 96KB FLASH 80LQFP

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

ADG419BRZ

ADG419BRZ

Analog Devices

IC SWITCH SPDT 8SOIC

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

XC7Z045-2FFG676I

XC7Z045-2FFG676I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 800MHZ 676FCBGA

MAX912ESE

MAX912ESE

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

MCP23S17T-E/SO

MCP23S17T-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

AQY272A

AQY272A

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM