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FQAF19N20

FQAF19N20

Nur als Referenz

Teilenummer FQAF19N20
PNEDA Teilenummer FQAF19N20
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.820
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQAF19N20 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQAF19N20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQAF19N20, FQAF19N20 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 688,57 KB)
PDFFQAF19N20 Datenblatt Cover
FQAF19N20 Datenblatt Seite 2 FQAF19N20 Datenblatt Seite 3 FQAF19N20 Datenblatt Seite 4 FQAF19N20 Datenblatt Seite 5 FQAF19N20 Datenblatt Seite 6 FQAF19N20 Datenblatt Seite 7 FQAF19N20 Datenblatt Seite 8

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FQAF19N20 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PF
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack

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NTMFS4H013NFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A (Ta), 269A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3923pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.7W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

GKI04076

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 23.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 46W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SSM3K347R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

38V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

86pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

PSMN4R8-100BSEJ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

278nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

405W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC014N04LSIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.45mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8 FL

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

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Cypress Semiconductor

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STMicroelectronics

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO

AT90S1200-4SC

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

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Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 100V 1806

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TVS DIODE 12V 19.9V SMB

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

ESD5V0D3-TP

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Micro Commercial Co

TVS DIODE 5V 15.5V SOD323

BZT52C3V9-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

ADP191ACBZ-R7

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Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

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