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FQAF16N25

FQAF16N25

Nur als Referenz

Teilenummer FQAF16N25
PNEDA Teilenummer FQAF16N25
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.228
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FQAF16N25 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQAF16N25
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQAF16N25, FQAF16N25 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 715,49 KB)
PDFFQAF16N25 Datenblatt Cover
FQAF16N25 Datenblatt Seite 2 FQAF16N25 Datenblatt Seite 3 FQAF16N25 Datenblatt Seite 4 FQAF16N25 Datenblatt Seite 5 FQAF16N25 Datenblatt Seite 6 FQAF16N25 Datenblatt Seite 7 FQAF16N25 Datenblatt Seite 8

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FQAF16N25 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PF
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

TPH3R003PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

88A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 44A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3825pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

FDB0170N607L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

243nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19250pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IRL3303SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF1010EZS

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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