FQAF10N80
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| Teilenummer | FQAF10N80 |
| PNEDA Teilenummer | FQAF10N80 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQAF10N80 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQAF10N80 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FQAF10N80 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 113W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 37.5W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263AB Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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