Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQA44N30

FQA44N30

Nur als Referenz

Teilenummer FQA44N30
PNEDA Teilenummer FQA44N30
Beschreibung MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 9.708
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQA44N30 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQA44N30
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQA44N30, FQA44N30 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 2.224,13 KB)
PDFFQA44N30 Datenblatt Cover
FQA44N30 Datenblatt Seite 2 FQA44N30 Datenblatt Seite 3 FQA44N30 Datenblatt Seite 4 FQA44N30 Datenblatt Seite 5 FQA44N30 Datenblatt Seite 6 FQA44N30 Datenblatt Seite 7 FQA44N30 Datenblatt Seite 8 FQA44N30 Datenblatt Seite 9 FQA44N30 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQA44N30 Datasheet
  • where to find FQA44N30
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQA44N30
  • FQA44N30 PDF Datasheet
  • FQA44N30 Stock

  • FQA44N30 Pinout
  • Datasheet FQA44N30
  • FQA44N30 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQA44N30 Price
  • FQA44N30 Distributor

FQA44N30 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.43.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PN
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EKI04047

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 42.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 650µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

FDD8750

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta), 2.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 18W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

R5016FNX

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FM

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

CTLDM7002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.592nC @ 4.5V

Vgs (Max)

40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TLM621

Paket / Fall

6-PowerVFDFN

STB20NM60D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

045901.5UR

045901.5UR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

ESD9B5.0ST5G

ESD9B5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SOD923

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

MIC2544A-1YMM

MIC2544A-1YMM

Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8MSOP

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

MAX1953EUB+

MAX1953EUB+

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK 10UMAX

HCPL-181-06BE

HCPL-181-06BE

Broadcom

OPTOISO 3.75KV TRANS 4MINIFLAT

LD1085V

LD1085V

STMicroelectronics

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO220AB

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN