FQA13N50CF_F109
Nur als Referenz
Teilenummer | FQA13N50CF_F109 |
PNEDA Teilenummer | FQA13N50CF_F109 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.524 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FQA13N50CF_F109 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FQA13N50CF_F109 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
FQA13N50CF_F109, FQA13N50CF_F109 Datenblatt
(Total Pages: 8, Größe: 1.030,1 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FQA13N50CF_F109 Datasheet
- where to find FQA13N50CF_F109
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FQA13N50CF_F109
- FQA13N50CF_F109 PDF Datasheet
- FQA13N50CF_F109 Stock
- FQA13N50CF_F109 Pinout
- Datasheet FQA13N50CF_F109
- FQA13N50CF_F109 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FQA13N50CF_F109 Price
- FQA13N50CF_F109 Distributor
FQA13N50CF_F109 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | FRFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 218W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3470pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 210W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1969pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 92W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSIV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket S-Mini Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta), 81A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2420pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ ST Paket / Fall DirectFET™ Isometric ST |