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FP15R06W1E3B11BOMA1

FP15R06W1E3B11BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP15R06W1E3B11BOMA1
PNEDA Teilenummer FP15R06W1E3B11BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 22A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.418
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FP15R06W1E3B11BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP15R06W1E3B11BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FP15R06W1E3B11BOMA1, FP15R06W1E3B11BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 825,5 KB)
PDFFP15R06W1E3B11BOMA1 Datenblatt Cover
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FP15R06W1E3B11BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Leistung - max81W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce830pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGF50DU120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTGT50TA60PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

FZ1500R33HE3BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1500A

Leistung - max

17000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

280nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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