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FP10R06W1E3BOMA1

FP10R06W1E3BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP10R06W1E3BOMA1
PNEDA Teilenummer FP10R06W1E3BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 100A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FP10R06W1E3BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP10R06W1E3BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FP10R06W1E3BOMA1, FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 950,69 KB)
PDFFP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Cover
FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 2 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 3 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 4 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 5 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 6 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 7 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 8 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 9 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 10 FP10R06W1E3BOMA1 Datenblatt Seite 11

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FP10R06W1E3BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Leistung - max68W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce550pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

892W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-HA

Lieferantengerätepaket

7PM-HA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

155W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM200DX-24A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

35nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT300DH60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

430A

Leistung - max

1150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

IRG5K50HF06A

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

245W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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