FMY1AT148
Nur als Referenz
| Teilenummer | FMY1AT148 |
| PNEDA Teilenummer | FMY1AT148 |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 70.260 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMY1AT148 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMY1AT148 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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FMY1AT148 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 180MHz, 140MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Lieferantengerätepaket | SMT5 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 280MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Lieferantengerätepaket TSMT5 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max 2.25W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 18-DIP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max 1.31W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 18-SOL |
