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FMMT560TA

FMMT560TA

Nur als Referenz

Teilenummer FMMT560TA
PNEDA Teilenummer FMMT560TA
Beschreibung TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 983.370
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FMMT560TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMMT560TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
FMMT560TA, FMMT560TA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 827,61 KB)
PDFFMMT560TA Datenblatt Cover
FMMT560TA Datenblatt Seite 2 FMMT560TA Datenblatt Seite 3 FMMT560TA Datenblatt Seite 4 FMMT560TA Datenblatt Seite 5 FMMT560TA Datenblatt Seite 6 FMMT560TA Datenblatt Seite 7

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FMMT560TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)500V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 50mA, 10V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang60MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 3mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC556BZL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

280MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC556BTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PBSS4620PA,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

275mV @ 300mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

260 @ 2A, 2V

Leistung - max

2.1W

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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