FM21LD16-60-BGTR
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| Teilenummer | FM21LD16-60-BGTR |
| PNEDA Teilenummer | FM21LD16-60-BGTR |
| Beschreibung | IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.480 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FM21LD16-60-BGTR Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FM21LD16-60-BGTR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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FM21LD16-60-BGTR Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | F-RAM™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 110ns |
| Zugriffszeit | 110ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-FBGA (6x8) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 208-LFBGA Lieferantengerätepaket 208-CABGA (15x15) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2 Speichergröße 128Mb Flash, 512Mb DRAM Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.2V, 1.8V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 168-BGA |
