Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FK4B01110L1

FK4B01110L1

Nur als Referenz

Teilenummer FK4B01110L1
PNEDA Teilenummer FK4B01110L1
Beschreibung CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
Hersteller Panasonic Electronic Components
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FK4B01110L1 Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFK4B01110L1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FK4B01110L1, FK4B01110L1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 312,09 KB)
PDFFK4B01110L1 Datenblatt Cover
FK4B01110L1 Datenblatt Seite 2 FK4B01110L1 Datenblatt Seite 3 FK4B01110L1 Datenblatt Seite 4 FK4B01110L1 Datenblatt Seite 5 FK4B01110L1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FK4B01110L1 Datasheet
  • where to find FK4B01110L1
  • Panasonic Electronic Components

  • Panasonic Electronic Components FK4B01110L1
  • FK4B01110L1 PDF Datasheet
  • FK4B01110L1 Stock

  • FK4B01110L1 Pinout
  • Datasheet FK4B01110L1
  • FK4B01110L1 Supplier

  • Panasonic Electronic Components Distributor
  • FK4B01110L1 Price
  • FK4B01110L1 Distributor

FK4B01110L1 Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.55nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds274pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)340mW (Ta)
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketALGA004-W-0606-RA01
Paket / Fall4-XFLGA, CSP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MTB50P03HDLG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVATS5A106PLZT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ATPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4707pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

DMN3053L-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

676pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FL5252050R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Mini5-G3-B

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Kürzlich verkauft

TSH82IYDT

TSH82IYDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MAX531BCPD

MAX531BCPD

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

FDC6327C

FDC6327C

ON Semiconductor

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

M24M01-RMN6P

M24M01-RMN6P

STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

ACPL-064L-500E

ACPL-064L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO

LPC1768FBD100,551

LPC1768FBD100,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

ES2D

ES2D

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

PDTC143ZT,235

PDTC143ZT,235

Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB