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FJPF2145TU

FJPF2145TU

Nur als Referenz

Teilenummer FJPF2145TU
PNEDA Teilenummer FJPF2145TU
Beschreibung TRANS NPN 800V 5A TO-220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJPF2145TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJPF2145TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
FJPF2145TU, FJPF2145TU Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 887,06 KB)
PDFFJPF2145TU Datenblatt Cover
FJPF2145TU Datenblatt Seite 2 FJPF2145TU Datenblatt Seite 3 FJPF2145TU Datenblatt Seite 4 FJPF2145TU Datenblatt Seite 5 FJPF2145TU Datenblatt Seite 6 FJPF2145TU Datenblatt Seite 7 FJPF2145TU Datenblatt Seite 8 FJPF2145TU Datenblatt Seite 9 FJPF2145TU Datenblatt Seite 10 FJPF2145TU Datenblatt Seite 11

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FJPF2145TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieESBC™
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)800V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 300mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 200mA, 5V
Leistung - max40W
Frequenz - Übergang15MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/392

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-46-3

Lieferantengerätepaket

TO-46-3

BC56-10PA,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Leistung - max

420mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

3-HUSON (2x2)

2SAR572DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 3V

Leistung - max

10W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

CPT3

JANTX2N3019/TR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/391

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

BSV52,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

500MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

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