FJP1943RTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJP1943RTU |
| PNEDA Teilenummer | FJP1943RTU |
| Beschreibung | TRANS PNP 230V 15A TO-220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.480 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FJP1943RTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJP1943RTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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FJP1943RTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 230V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 55 @ 1A, 5V |
| Leistung - max | 80W |
| Frequenz - Übergang | 30MHz |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket S-Mini |
