Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJNS4212RBU

FJNS4212RBU

Nur als Referenz

Teilenummer FJNS4212RBU
PNEDA Teilenummer FJNS4212RBU
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJNS4212RBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJNS4212RBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
FJNS4212RBU, FJNS4212RBU Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 26,46 KB)
PDFFJNS4212RBU Datenblatt Cover
FJNS4212RBU Datenblatt Seite 2 FJNS4212RBU Datenblatt Seite 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FJNS4212RBU Datasheet
  • where to find FJNS4212RBU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FJNS4212RBU
  • FJNS4212RBU PDF Datasheet
  • FJNS4212RBU Stock

  • FJNS4212RBU Pinout
  • Datasheet FJNS4212RBU
  • FJNS4212RBU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FJNS4212RBU Price
  • FJNS4212RBU Distributor

FJNS4212RBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Widerstand - Basis (R1)47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max300mW
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body
LieferantengerätepaketTO-92S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PDTC124XMB,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5A, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

230MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

DFN1006B-3

BCR142B6327HTLA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BCR 162T E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

PG-SC-75

DTA124EUBTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

UMT3F

RN1110CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

50mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

CST3

Kürzlich verkauft

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

ON Semiconductor

-60V7.7MOHMSINGLE

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

MAX3051ESA+T

MAX3051ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

MCP41010T-I/SN

MCP41010T-I/SN

Microchip Technology

IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 8SOIC

ADM2491EBRWZ

ADM2491EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

MCP6002-E/SN

MCP6002-E/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC