FJN598JBBU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJN598JBBU |
| PNEDA Teilenummer | FJN598JBBU |
| Beschreibung | JFET N-CH 20V 0.15W TO92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FJN598JBBU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJN598JBBU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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FJN598JBBU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100µA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 600mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket VTFP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
