Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJN3314RTA

FJN3314RTA

Nur als Referenz

Teilenummer FJN3314RTA
PNEDA Teilenummer FJN3314RTA
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJN3314RTA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJN3314RTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
FJN3314RTA, FJN3314RTA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 325 KB)
PDFFJN3314RTA Datenblatt Cover
FJN3314RTA Datenblatt Seite 2 FJN3314RTA Datenblatt Seite 3 FJN3314RTA Datenblatt Seite 4 FJN3314RTA Datenblatt Seite 5 FJN3314RTA Datenblatt Seite 6 FJN3314RTA Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FJN3314RTA Datasheet
  • where to find FJN3314RTA
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FJN3314RTA
  • FJN3314RTA PDF Datasheet
  • FJN3314RTA Stock

  • FJN3314RTA Pinout
  • Datasheet FJN3314RTA
  • FJN3314RTA Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FJN3314RTA Price
  • FJN3314RTA Distributor

FJN3314RTA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max300mW
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DTA015EMT2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VMT3

DDTD123TC-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

DTC143TMT2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VMT3

FN4L4M-T1B-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

UNR31A900L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

Kürzlich verkauft

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

TAJD337K010RNJ

TAJD337K010RNJ

CAP TANT 330UF 10% 10V 2917

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

M50100TB1600

M50100TB1600

Sensata-Crydom

BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A MODULE

ADF4001BRUZ

ADF4001BRUZ

Analog Devices

IC CLOCK GEN PLL 16-TSSOP

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

MAX3095ESE+

MAX3095ESE+

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16SO