FJN3303RTA
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJN3303RTA |
| PNEDA Teilenummer | FJN3303RTA |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FJN3303RTA Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJN3303RTA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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FJN3303RTA Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket DFN1006-3 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket DFN1006-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 246mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SMini3-G1 |
