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FJN13003TA

FJN13003TA

Nur als Referenz

Teilenummer FJN13003TA
PNEDA Teilenummer FJN13003TA
Beschreibung TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FJN13003TA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJN13003TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
FJN13003TA, FJN13003TA Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 49,82 KB)
PDFFJN13003TA Datenblatt Cover
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FJN13003TA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 500mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce9 @ 500mA, 2V
Leistung - max1.1W
Frequenz - Übergang4MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 4mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

TN6716A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 250mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-226-3

MJ11015G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204 (TO-3)

PN5139

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

KSA1220YSTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 300mA, 5V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

175MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126

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