FGY75N60SMD
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| Teilenummer | FGY75N60SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGY75N60SMD |
| Beschreibung | IGBT 600V 150A 750W POWER-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGY75N60SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGY75N60SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGY75N60SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 750W |
| Schaltenergie | 2.3mJ (on), 770µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 248nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/136ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | PowerTO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/150ns Testbedingung 480V, 12A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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