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FGY75N60SMD

FGY75N60SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGY75N60SMD
PNEDA Teilenummer FGY75N60SMD
Beschreibung IGBT 600V 150A 750W POWER-247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGY75N60SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGY75N60SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGY75N60SMD, FGY75N60SMD Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 636,85 KB)
PDFFGY75N60SMD Datenblatt Cover
FGY75N60SMD Datenblatt Seite 2 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 3 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 4 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 5 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 6 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 7 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 8 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 9 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 10 FGY75N60SMD Datenblatt Seite 11

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FGY75N60SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 75A
Leistung - max750W
Schaltenergie2.3mJ (on), 770µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge248nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/136ns
Testbedingung400V, 75A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)55ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
LieferantengerätepaketPowerTO-247-3

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IXGT28N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/175ns

Testbedingung

480V, 28A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

96µJ (on), 355µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/205ns

Testbedingung

960V, 2.6A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGIB4615DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

145µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

APT15GT120BRDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

585µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/85ns

Testbedingung

800V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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