FGP10N60UNDF
Nur als Referenz
Teilenummer | FGP10N60UNDF |
PNEDA Teilenummer | FGP10N60UNDF |
Beschreibung | IGBT 600V 20A 139W TO220-3 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 18.432 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FGP10N60UNDF Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FGP10N60UNDF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FGP10N60UNDF Datasheet
- where to find FGP10N60UNDF
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FGP10N60UNDF
- FGP10N60UNDF PDF Datasheet
- FGP10N60UNDF Stock
- FGP10N60UNDF Pinout
- Datasheet FGP10N60UNDF
- FGP10N60UNDF Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FGP10N60UNDF Price
- FGP10N60UNDF Distributor
FGP10N60UNDF Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 10A |
Leistung - max | 139W |
Schaltenergie | 150µJ (on), 50µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 37nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 8ns/52.2ns |
Testbedingung | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 37.7ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 24A Leistung - max 200W Schaltenergie 530µJ (on), 1.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/200ns Testbedingung 960V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 210µJ (on), 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/192ns Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.2V @ 15V, 90A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 143A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A Leistung - max 625W Schaltenergie 840µJ (on), 751µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/158ns Testbedingung 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 6A Leistung - max 88W Schaltenergie 200µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/130ns Testbedingung 400V, 6A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 123ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263 |