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FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

Nur als Referenz

Teilenummer FGP10N60UNDF
PNEDA Teilenummer FGP10N60UNDF
Beschreibung IGBT 600V 20A 139W TO220-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 18.432
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGP10N60UNDF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP10N60UNDF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGP10N60UNDF, FGP10N60UNDF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 328,98 KB)
PDFFGP10N60UNDF Datenblatt Cover
FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 2 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 3 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 4 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 5 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 6 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 7 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 8 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 9 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 10 FGP10N60UNDF Datenblatt Seite 11

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FGP10N60UNDF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 10A
Leistung - max139W
Schaltenergie150µJ (on), 50µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge37nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.8ns/52.2ns
Testbedingung400V, 10A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37.7ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

530µJ (on), 1.41mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/200ns

Testbedingung

960V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

210µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/192ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

IXGF30N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 90A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

APT80GA60LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

IKB06N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

200µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/130ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

123ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263

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