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FGP10BHE3/54

FGP10BHE3/54

Nur als Referenz

Teilenummer FGP10BHE3/54
PNEDA Teilenummer FGP10BHE3-54
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGP10BHE3/54 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP10BHE3/54
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FGP10BHE3/54, FGP10BHE3/54 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 66,66 KB)
PDFFGP10D-M3/54 Datenblatt Cover
FGP10D-M3/54 Datenblatt Seite 2 FGP10D-M3/54 Datenblatt Seite 3 FGP10D-M3/54 Datenblatt Seite 4

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FGP10BHE3/54 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.25pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1230A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.063V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

SFA802G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RS1GFA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

SOD-123FA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RBS84235XX

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4200V

Current - Average Rectified (Io)

3500A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.31V @ 4000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 4200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

JANTX1N3646

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/279

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1750V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

5V @ 250mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1750V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

S, Axial

Lieferantengerätepaket

S, Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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