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FGI40N60SFTU

FGI40N60SFTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGI40N60SFTU
PNEDA Teilenummer FGI40N60SFTU
Beschreibung IGBT 600V 80A 290W I2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGI40N60SFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGI40N60SFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGI40N60SFTU, FGI40N60SFTU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 251,66 KB)
PDFFGI40N60SFTU Datenblatt Cover
FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 2 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 3 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 4 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 5 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 6 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 7 FGI40N60SFTU Datenblatt Seite 8

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FGI40N60SFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 40A
Leistung - max290W
Schaltenergie1.13mJ (on), 310µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/115ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGB20N40LZ

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/4.3µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

IKFW50N60DH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

145W

Schaltenergie

1.22mJ (on), 610µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/212ns

Testbedingung

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

64ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-AI

FGB3040G2-F085C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.8µs

Testbedingung

5V, 470Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK-3 (TO-263-3)

STGP100N30

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/134ns

Testbedingung

180V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Kürzlich verkauft

ATXMEGA64A3U-AU

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Microchip Technology

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4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

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ADM2587EBRWZ-REEL7

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ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

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MAX15301AA02+CJK

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ISOLATED DC/DC CONVERTERS 2.31-3

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IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SO

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TVS DIODE 36V 58.1V SMC

HDLO-3416

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CRA2512-FZ-R020ELF

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RES 0.02 OHM 1% 3W 2512

BK/HTB-42I-R

BK/HTB-42I-R

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