FGH40T65SPD-F155
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| Teilenummer | FGH40T65SPD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T65SPD-F155 |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 267W TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 83.766 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH40T65SPD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T65SPD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH40T65SPD-F155, FGH40T65SPD-F155 Datenblatt
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FGH40T65SPD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 267W |
| Schaltenergie | 1.16mJ (on), 280µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 35nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/37ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 15A Leistung - max 46.8W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
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