FGH20N6S2D
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| Teilenummer | FGH20N6S2D |
| PNEDA Teilenummer | FGH20N6S2D |
| Beschreibung | IGBT 600V 28A 125W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.780 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH20N6S2D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH20N6S2D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH20N6S2D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 28A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 7.7ns/87ns |
| Testbedingung | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 12A Leistung - max 140W Schaltenergie 75µJ (on), 225µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/83ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 68ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max 52W Schaltenergie 62µJ (on), 39µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/110ns Testbedingung 400V, 3A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 77ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 60A Leistung - max 540W Schaltenergie 1.4mJ (on), 3.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/320ns Testbedingung 480V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 150W Schaltenergie 1.75mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 69nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 960V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 8A Leistung - max 280W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/180ns Testbedingung 1250V, 8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
