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FGD3245G2-F085

FGD3245G2-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FGD3245G2-F085
PNEDA Teilenummer FGD3245G2-F085
Beschreibung ECOSPARK2-450V IGNITION IGBT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.174
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FGD3245G2-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGD3245G2-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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PDFFGB3245G2-F085 Datenblatt Cover
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FGD3245G2-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)450V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.25V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.900ns/5.4µs
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IRG4PH50KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

3.83mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/140ns

Testbedingung

800V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

RGPR20NS43HRTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

460V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

STGP10NB60SFP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

600µJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/1.2µs

Testbedingung

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220FP

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