FGA40T65SHDF
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| Teilenummer | FGA40T65SHDF |
| PNEDA Teilenummer | FGA40T65SHDF |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA40T65SHDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA40T65SHDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA40T65SHDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 68nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/64ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 277W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/143ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 54ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A Leistung - max 595W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 305nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/170ns Testbedingung 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2] |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A Leistung - max 200W Schaltenergie 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/100ns Testbedingung 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
