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FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FFSH4065BDN-F085
PNEDA Teilenummer FFSH4065BDN-F085
Beschreibung SIC DIODE 650V
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $85,1103
50 ---------- $81,1207
100 ---------- $77,1312
200 ---------- $73,1416
400 ---------- $69,8170
500 ---------- $66,4924
Auf Lager 7.053
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FFSH4065BDN-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFFSH4065BDN-F085
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FFSH4065BDN-F085, FFSH4065BDN-F085 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 271,26 KB)
PDFFFSH4065BDN-F085 Datenblatt Cover
FFSH4065BDN-F085 Datenblatt Seite 2 FFSH4065BDN-F085 Datenblatt Seite 3 FFSH4065BDN-F085 Datenblatt Seite 4 FFSH4065BDN-F085 Datenblatt Seite 5 FFSH4065BDN-F085 Datenblatt Seite 6

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FFSH4065BDN-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650V
Current - Average Rectified (Io)20A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 20A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F.866pF @ 1V, 100kHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
LieferantengerätepaketTO-247-3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

1N1202

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MBRF1035 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

A390B

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 400A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

VS-10ETF02FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AC Full Pack

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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