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FFSH20120ADN-F155

FFSH20120ADN-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FFSH20120ADN-F155
PNEDA Teilenummer FFSH20120ADN-F155
Beschreibung DIODE SIC 1200V 10A TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $12,0644
100 ---------- $11,4989
250 ---------- $10,9333
500 ---------- $10,3678
750 ---------- $9,8966
1.000 ---------- $9,4253
Auf Lager 4.077
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FFSH20120ADN-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFFSH20120ADN-F155
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
FFSH20120ADN-F155, FFSH20120ADN-F155 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 304,4 KB)
PDFFFSH20120ADN-F155 Datenblatt Cover
FFSH20120ADN-F155 Datenblatt Seite 2 FFSH20120ADN-F155 Datenblatt Seite 3 FFSH20120ADN-F155 Datenblatt Seite 4 FFSH20120ADN-F155 Datenblatt Seite 5 FFSH20120ADN-F155 Datenblatt Seite 6

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FFSH20120ADN-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.75V @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

CDBD2050-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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VS-42CTQ030-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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