FFSB3065B-F085
Nur als Referenz
| Teilenummer | FFSB3065B-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FFSB3065B-F085 |
| Beschreibung | 650V 30A SIC SBD GEN1.5 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FFSB3065B-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FFSB3065B-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FFSB3065B-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 73A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 40µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 1280pF @ 1V, 100kHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-3 (TO-263) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 440V Current - Average Rectified (Io) 1.75A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 440V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, E Lieferantengerätepaket D-5B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 300A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -60°C ~ 200°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 750mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 750mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 175pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
