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FF800R17KF6CB2NOSA1

FF800R17KF6CB2NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF800R17KF6CB2NOSA1
PNEDA Teilenummer FF800R17KF6CB2NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.580
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF800R17KF6CB2NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF800R17KF6CB2NOSA1, FF800R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 400,36 KB)
PDFFF800R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt Cover
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce52nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

139A

Leistung - max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

650A

Leistung - max

3150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF200U120DG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

275A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGLQ75H65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGLQ150A120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250A

Leistung - max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP4

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