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FF650R17IE4PBOSA1

FF650R17IE4PBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF650R17IE4PBOSA1
PNEDA Teilenummer FF650R17IE4PBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF650R17IE4PBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF650R17IE4PBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF650R17IE4PBOSA1, FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 610,71 KB)
PDFFF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Cover
FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 2 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 3 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 4 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 5 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 6 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 7 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 8 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 9 FF650R17IE4PBOSA1 Datenblatt Seite 10

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FF650R17IE4PBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)650A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 650A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce54nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGV50H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FF45R12W1J1B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTCV60HM70BT3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper, Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

VS-GB100YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

127A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

80µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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