FF600R17ME4B11BOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | FF600R17ME4B11BOSA1 |
PNEDA Teilenummer | FF600R17ME4B11BOSA1 |
Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 600A |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.482 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FF600R17ME4B11BOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FF600R17ME4B11BOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
FF600R17ME4B11BOSA1, FF600R17ME4B11BOSA1 Datenblatt
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FF600R17ME4B11BOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | 2 Independent |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Leistung - max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 600A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 48nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 138A Leistung - max 568W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 125A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ECO-PAC2 Lieferantengerätepaket ECO-PAC2 |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 590W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 23nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 961W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |