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FF450R12ME4PB11BOSA1

FF450R12ME4PB11BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF450R12ME4PB11BOSA1
PNEDA Teilenummer FF450R12ME4PB11BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 450A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.802
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FF450R12ME4PB11BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF450R12ME4PB11BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF450R12ME4PB11BOSA1, FF450R12ME4PB11BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 574,17 KB)
PDFFF450R12ME4PB11BOSA1 Datenblatt Cover
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FF450R12ME4PB11BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)450A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 450A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce28nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ900R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T150CH12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

910W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

APTGT300TL60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

935W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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