FF450R12KE4EHOSA1
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| Teilenummer | FF450R12KE4EHOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF450R12KE4EHOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 450A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.946 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF450R12KE4EHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF450R12KE4EHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF450R12KE4EHOSA1, FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt
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FF450R12KE4EHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 520A |
| Leistung - max | 2400W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 450A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie C IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 900A Leistung - max 4300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 900A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 56nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 230A Leistung - max 730W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Leistung - max 66W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 0.71nF @ 30V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 25PM-AA Lieferantengerätepaket 25PM-AA |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Leistung - max 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.03nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
