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FF450R12KE4EHOSA1

FF450R12KE4EHOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF450R12KE4EHOSA1
PNEDA Teilenummer FF450R12KE4EHOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 450A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF450R12KE4EHOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF450R12KE4EHOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF450R12KE4EHOSA1, FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 600,79 KB)
PDFFF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Cover
FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 2 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 3 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 4 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 5 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 6 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 7 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 8 FF450R12KE4EHOSA1 Datenblatt Seite 9

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FF450R12KE4EHOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)520A
Leistung - max2400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 450A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce28nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700A

Leistung - max

2300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FZ2400R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

290W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 55A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

V1A-PAK

Lieferantengerätepaket

V1A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Leistung - max

94W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GT50TP60N

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

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