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FF300R12KE3B2HOSA1

FF300R12KE3B2HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF300R12KE3B2HOSA1
PNEDA Teilenummer FF300R12KE3B2HOSA1
Beschreibung MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FF300R12KE3B2HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF300R12KE3B2HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FF300R12KE3B2HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)440A
Leistung - max1450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce21nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

625A

Leistung - max

2500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T300CH12B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

570A

Leistung - max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

42.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

109A

Leistung - max

447W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

6MS24017E33W32859NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

ModSTACK™ 3

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

9980W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-25°C ~ 55°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Leistung - max

70W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MiniPack2

Lieferantengerätepaket

MiniPack2

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