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FF225R12ME4B11BPSA1

FF225R12ME4B11BPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF225R12ME4B11BPSA1
PNEDA Teilenummer FF225R12ME4B11BPSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FF225R12ME4B11BPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF225R12ME4B11BPSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF225R12ME4B11BPSA1, FF225R12ME4B11BPSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 694,56 KB)
PDFFF225R12ME4B11BPSA1 Datenblatt Cover
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FF225R12ME4B11BPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)320A
Leistung - max1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 225A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

155A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MiniPack2

Lieferantengerätepaket

MiniPack2

IFF300B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-ECONOD-6

APTGF50VDA60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGLQ75H65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

FS75R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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