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FF200R17KE3S4HOSA1

FF200R17KE3S4HOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF200R17KE3S4HOSA1
PNEDA Teilenummer FF200R17KE3S4HOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.354
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF200R17KE3S4HOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF200R17KE3S4HOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF200R17KE3S4HOSA1, FF200R17KE3S4HOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 662,14 KB)
PDFFF200R17KE3S4HOSA1 Datenblatt Cover
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FF200R17KE3S4HOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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APT60GF60JU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Leistung - max

378W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

80µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.59nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

CM1400DUC-24NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1400A

Leistung - max

8900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 1400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

220nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IFS150B17N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.2A

Leistung - max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

FP25R12W2T4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPIM™ 2B

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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