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FF150R12YT3BOMA1

FF150R12YT3BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF150R12YT3BOMA1
PNEDA Teilenummer FF150R12YT3BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.222
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF150R12YT3BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF150R12YT3BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF150R12YT3BOMA1, FF150R12YT3BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 481,24 KB)
PDFFF150R12YT3BOMA1 Datenblatt Cover
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FF150R12YT3BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce10.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Leistung - max

96W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.04nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

26-DIP Module

Lieferantengerätepaket

-

APTGT50TDU60PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Triple, Dual - Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

APTGT75DH120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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