FF150R12MS4GBOSA1
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| Teilenummer | FF150R12MS4GBOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF150R12MS4GBOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF150R12MS4GBOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF150R12MS4GBOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF150R12MS4GBOSA1, FF150R12MS4GBOSA1 Datenblatt
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FF150R12MS4GBOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 225A |
| Leistung - max | 1250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 454.5W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4700pF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket ACEPACK™ 2 |
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