FF100R12KS4HOSA1
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| Teilenummer | FF100R12KS4HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF100R12KS4HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.146 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF100R12KS4HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF100R12KS4HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF100R12KS4HOSA1, FF100R12KS4HOSA1 Datenblatt
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FF100R12KS4HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 780W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 650nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 560A Leistung - max 1785W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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