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FESB16BTHE3/45

FESB16BTHE3/45

Nur als Referenz

Teilenummer FESB16BTHE3/45
PNEDA Teilenummer FESB16BTHE3-45
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FESB16BTHE3/45 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFESB16BTHE3/45
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FESB16BTHE3/45, FESB16BTHE3/45 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 141,41 KB)
PDFFES16JT-9HE3/45 Datenblatt Cover
FES16JT-9HE3/45 Datenblatt Seite 2 FES16JT-9HE3/45 Datenblatt Seite 3 FES16JT-9HE3/45 Datenblatt Seite 4 FES16JT-9HE3/45 Datenblatt Seite 5

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FESB16BTHE3/45 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If975mV @ 16A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.175pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

800mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

RGP02-12E-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RB886GT2R

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

5V

Current - Average Rectified (Io)

10mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

350mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

120µA @ 5V

Kapazität @ Vr, F.

0.8pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

VMD2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

VS-MBR340

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

C-16, Axial

Lieferantengerätepaket

C-16

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

ES1C M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

16pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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