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FES16FT

FES16FT

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Teilenummer FES16FT
PNEDA Teilenummer FES16FT
Beschreibung DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.948
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FES16FT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFES16FT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FES16FT, FES16FT Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 49,26 KB)
PDFFES16JT Datenblatt Cover
FES16JT Datenblatt Seite 2 FES16JT Datenblatt Seite 3

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FES16FT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.170pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4006G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SFF1604GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANTXV1N5417

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

B, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

NHPM220T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

Powermite

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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