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FES16CT

FES16CT

Nur als Referenz

Teilenummer FES16CT
PNEDA Teilenummer FES16CT
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.880
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FES16CT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFES16CT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
FES16CT, FES16CT Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 49,26 KB)
PDFFES16JT Datenblatt Cover
FES16JT Datenblatt Seite 2 FES16JT Datenblatt Seite 3

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FES16CT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)16A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.170pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SGL41-30HE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF

Lieferantengerätepaket

GL41 (DO-213AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

SA2M-E3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

11pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYWE29-200-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VS-70HF80M

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 220A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB (DO-5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 180°C

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